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型号： MT41K512M16TNA-125 M:E
制造商： Micron Technology Inc
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M16TNA-125 M:E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M16TNA-125 M:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M16TNA-125 M:E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MT41K512M16TNA-125 M:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M16TNA-125 M:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号MT41K512M16TNA-125 M:E是一款DDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器），其主要应用场景包括但不限于以下领域：

 1. 服务器和数据中心
   - 该型号的DDR4内存具有高带宽和低功耗特性，适合用于高性能服务器和数据中心应用。它能够支持多核处理器的高效数据处理需求，适用于云计算、虚拟化环境以及大数据分析等场景。

 2. 网络设备
   - 在路由器、交换机和其他网络基础设施中，这款存储器可以提供快速的数据传输能力，支持高吞吐量的网络通信，满足现代网络对速度和可靠性的要求。

 3. 嵌入式系统
   - 该存储器可应用于工业控制、医疗设备、通信设备等嵌入式系统中，为这些系统提供稳定的内存支持，确保实时性和可靠性。

 4. 人工智能和机器学习
   - 在AI训练和推理过程中，需要大量的数据处理和存储能力。这款DDR4内存可以为AI加速卡或专用计算设备提供高效的内存支持，提升模型训练和推理的速度。

 5. 高性能计算（HPC）
   - 对于科学计算、工程模拟和天气预报等高性能计算任务，这款存储器能够提供强大的数据处理能力，支持复杂的计算需求。

 6. 消费电子
   - 虽然主要定位为企业级应用，但在某些高端消费电子产品（如游戏主机、图形工作站）中，也可能采用类似的DDR4内存以提升性能。

 技术特点：
- 容量与速度：MT41K512M16TNA-125 提供大容量和高频率（如2400/2667 MT/s），满足高性能计算需求。
- 低功耗：采用先进的制程技术，降低能耗，适合长时间运行的设备。
- 可靠性：经过严格测试，具备高稳定性和长寿命，适合关键任务应用。

总之，这款存储器广泛应用于需要高带宽、低延迟和高可靠性的场景，是现代计算和通信系统的重要组成部分。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA
产品分类	存储器
品牌	Micron Technology Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MT41K512M16TNA-125 M:E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	96-FBGA（10x14）
包装	托盘
存储器类型	DDR3L SDRAM
存储容量	8G（512M x 16）
封装/外壳	96-TFBGA
工作温度	0°C ~ 95°C
接口	并联
标准包装	1,000
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.283 V ~ 1.45 V
速度	800MHz